[자연과학][전기전자] 전계 效果 transistor(트랜지스터) [FET]에 관해
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작성일 22-12-27 12:25
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그림13-2에서 Gate는 Source와 Drain에 대해 역방향으로 bias되기 때문에 n-type 반도체의 전하운반자는 Gate에 대해 먼쪽으로 이동하게 된다 그래서 p-type과 n-type 사이에는 극성을 띄지 않는 층(layer)이 존재하게 되는데 이 층을 공핍층(Depletion Layer)이라 부른다. BJT에서는 베이스-에미터간에는 순방향으로 bias 되는데 반하여 JFET에서는 반드시 역방향으로 bias 된다는 사실이 다르다.자연과학,전기전자,전계,효과,트랜지스터,FET,관해,자연과학,레포트
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전계 효능 transistor(Field Effect Transistor(FET))
1)접합형 FET (Junction FET(JFET))
그림13-1. n-channel JFET
그림은 접합형 FET를 보인다.
그림13-2. 정상적으로 biased JFET 회로
또한 아래 그림에서 전하운반자의 흐름은 n-type 반도체 내에서만 가능하기 때문에 전자가 전하
운반자가 되고, 가 커지면 G…(To be continued )
[자연과학][전기전자] 전계 效果 transistor(트랜지스터) [FET]에 관해
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순서
다. 또다른 형태의 JFET는 p-channel이 있을 수 있다
위의 그림에서 검은 부분은 금속전극(electrode)이며 JFET에서 각각의 이름은 BJT(Bipolar Junction Transistor)에 다음과 같이 대응된다 ;
Bipolar Junction Transistor
JFET
Collector
Drain
Base
Gate
Emitter
Source
표12-1. JFET 전극의 이름
표에서 볼수 있듯이 JFET의 각 전극은 지금까지 배워온 BJT의 전극에 대응된다 JFET의 전류 역시
에 대응된다
2)Biased JFET
그림13-2는 정상적으로 bias된 JFET를 나타낸다.
위의 그림에서 전하 운반자는 n-type 즉, 전자(electron)이 되고, 전하운반자는 n-type 반도체를 통해 흐르므로 n-channel이라 한다.
